主要参数
| 参数 | 内容 |
|---|---|
| 产品类型 | 多模/单模半导体激光二极管；封装：Q-Mount、B-Mount、C-Mount和TO-Can |
| 785纳米系列 | 输出功率1/1.5/2 W；典型工作电压1.9-2.2 V；阈值电流约400-700 mA；斜率效率约1 W/A |
| 808纳米系列 | 输出功率0.5/1/1.5/2/3/4 W；典型工作电压1.9-2.2 V；发散角约30°×8° |
| 830纳米系列 | 输出功率1/1.5/2 W；典型工作电压约1.9-2.9 V；可选50 μm或100 μm发射区 |
| 850纳米系列 | 单模输出，最高约150 mW，适用于光纤耦合和科研光源 |
| 发射区 | 100 μm、50 μm或200 μm，按波长和功率型号选择；波长容差通常±3/5/10 nm |
| 典型远场角 | 垂直方向约25-30° FWHM；水平方向约8° FWHM |
| 工作温度 | -20至50 °C；存储温度：-40至80 °C |
| 寿命 | 基于25 °C、CW加速测试，典型>10000 h |
| 应用 | 拉曼光谱、激光治疗、激光泵浦、医疗、国防和高亮度照明 |